El iPhone 15 Pro es el primero en utilizar nuevos chips de memoria Micron increíblemente densos

Apple está utilizando una nueva forma de memoria más densa por primera vez en sus iPhones, con un desmontaje que descubre el uso de los nuevos chips DRAM D1b LPDDR5 DRAM ultradensos de Micron en el iPhone 15 Pro.

Además de los avances en las funciones, el avance de la tecnología también da como resultado componentes más pequeños con el tiempo. Para los modelos de iPhone 15 Pro, que ya ocupan un espacio ligeramente menor que el año anterior, parece que la memoria dentro de los teléfonos inteligentes también se está reduciendo de tamaño.

Elderribo porTechInsights de un iPhone 15 Pro descubrió un chip DRAM Micron D1b LPDDR5 de 16 GB, utilizando el troquel Y52P. El uso de la tecnología D1b DRAM da como resultado un chip más denso.

Las tecnologías de chips de memoria más densas, al igual que los procesadores, permiten empaquetar más en un espacio más pequeño, lo que significa que se pueden fabricar chips con las mismas capacidades que las generaciones anteriores en un factor de forma reducido. También puede permitir la creación de diseños de chips más elaborados dentro de un espacio similar.

Para empresas como Apple, un chip más denso significa que pueden poner más memoria en un dispositivo como un iPhone sin sacrificar el espacio de la placa base o la capacidad interna. También significa que se puede ahorrar espacio, que se puede emplear para otras cosas como más capacidad de la batería u otros chips.

La tecnología D1b DRAM de Micron se aparta de la técnica de litografía ultravioleta extrema (EUVL), utilizada por los competidores Samsung y SK Hynix y una tecnología central para llegar a niveles inferiores a 15 nanómetros. Micron ha fabricado con éxito chips D1z, D1a y D1b sin EUVL, lo que el informe considera "nada menos que impresionante".

Cuando micrónAnunciadoSu D1b LPDDR5X envió muestras a los fabricantes de teléfonos inteligentes en noviembre de 2022 y afirmó que eran posibles velocidades de hasta 8,5 Gbps. Para una capacidad de 16 Gb por troquel, el nodo también proporcionó una mejora en la densidad de bits del 35 % y una mejora en la eficiencia energética del 15 % con respecto a su nodo anterior.