Actualmente, las tarjetas gráficas diseñadas para uso doméstico están equipadas con módulos de memoria GDDR6 y GDDR6X, seleccionados por su combinación óptima de rendimiento y rentabilidad. Sin embargo, vale la pena señalar que estas no son las opciones de memoria exclusivas disponibles para tarjetas gráficas, como lo demuestran productos como la serie AMD Radeon Vega. En particular, SK Hynix ha presentado un avance significativo en el ámbito de la memoria de las tarjetas gráficas con la introducción de los módulos HBM3E.
Es posible que la tecnología HBM (memoria de alto ancho de banda) no sea familiar para todos, especialmente para aquellos interesados principalmente en los gráficos para juegos. Las memorias HBM destacan por ofrecer velocidades de transferencia de datos notablemente superiores en comparación con las memorias GDDR más habituales.
Esta capacidad mejorada de transferencia de datos se traduce en un rendimiento mejorado en casos de uso específicos. Sin embargo, es importante reconocer varios inconvenientes asociados con la tecnología de HBM. El más importante de ellos es el considerable factor de coste: los módulos de HBM son notablemente más caros, a veces incluso hasta 20 veces más caros que sus homólogos GDDR. Además, estos módulos están colocados junto a la GPU en el mismo zócalo, lo que genera irregularidades en la superficie y posibles desafíos en la disipación de calor.
Presentamos la próxima ola de tecnología avanzada de memoria de banda ancha
SK Hynix ha presentado su último logro: la preparación para la producción de sus módulos pioneros HBM3E, y ya se han enviado muestras a varios clientes. Estos novedosos chips introducen un salto notable en la velocidad de transferencia de datos, con una impresionante velocidad de 9 GT/s. Este aumento de rendimiento equivale a una notable mejora del 40 % con respecto a la iteración anterior de HBM3.
Está previsto que la fabricación a gran escala de estos innovadores componentes de memoria comience en la primera mitad del próximo año. Notablemente ausente en la divulgación actual está la información sobre las capacidades específicas de estos nuevos chips de memoria, ni hay datos precisos que describan su disponibilidad para los socios de ensamblaje.
La entidad de investigación de mercado TrendForce ha aportado sus conocimientos y ofrece proyecciones numéricas. Según su análisis, SK Hynix tiene la intención de producir chips HBM3E de 24 GB en el primer trimestre de 2024. Más adelante, los planes se extienden a la creación de soluciones de memoria de 36 GB durante el primer trimestre de 2025.
Esta previsión de TrendForce se alinea de manera intrigante con las tendencias actuales del mercado. Circulan anticipaciones con respecto al lanzamiento programado por parte de NVIDIA de las soluciones Grace Hooper GH200, dirigidas a inteligencia artificial y tareas informáticas avanzadas, programadas para el segundo trimestre de 2024. La especulación sugiere que estas soluciones GH200 podrían incorporar una cantidad sustancial de 141 GB de memoria SK Hynix HBM3E, aunque esto sigue siendo de naturaleza especulativa. .
Es importante señalar que las memorias HBM3E de SK Hynix, si bien son impresionantes, actualmente no ocupan la cúspide en el mercado de las memorias. Esta nueva oferta cuenta con un ancho de banda de 9 GT/s, ligeramente por detrás de las unidades de memoria de Micron que funcionan a 9,2 GT/s. Las soluciones de Micron ofrecen un ancho de banda sólido de 1,2 TB/s por pila, mientras que las ofertas de SK Hynix alcanzan 1,15 TB/s, lo que subraya la dinámica competitiva actual.
Creado para IA
Lo que añade un giro intrigante a la situación es la decisión de SK Hynix de permanecer discreto sobre las especificaciones exactas de estos nuevos módulos de memoria. Sin embargo, han optado por enfatizar su utilización de la tecnología Advanced Mass Reflow Moulded Underfill (MR-RUF). Esta innovación desempeña un papel fundamental a la hora de reducir las brechas entre los componentes dentro de una pila de HBM, ofreciendo simultáneamente una mejora del 10 % en la eficiencia de disipación de calor. Sorprendentemente, esta tecnología también logra mantener la misma altura Z para una configuración de 12 Hi HBM2 que para un módulo de 8 Hi HBM.
Un elemento de curiosidad en torno al estándar HBM3E surge de su actual falta de validación por parte de JEDEC, el organismo regulador establecido responsable de certificar y validar los chips de memoria. Vale la pena recordar que el cumplimiento de los estándares JEDEC es habitual para los componentes de memoria.
El ritmo acelerado de los desarrollos podría atribuirse potencialmente a las demandas del mercado, en particular el aumento de la producción en masa de inteligencia artificial y aplicaciones informáticas de alto rendimiento. En este contexto, es concebible que la producción en masa comience antes de recibir la certificación oficial, lo que marcaría la posible primera vez que se produzca un escenario de este tipo. Esto podría significar una desviación de la secuencia convencional en la que la producción en masa suele seguir después de la validación regulatoria.
